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MOSFET 功率半导体新一轮大涨价!中微半导体、英特尔、斯达、三菱、日立、SK海力士、比亚迪等动态
信息来源:第三代半导体产业网 发布日期:2021-06-18 阅读次数:690
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    半导体产业网根据公开消息整理:中微半导体、英特尔、斯达、三菱、日立、SK海力士、比亚迪等公司近期最新动态,以及行业动态如下(仅供参考):
     

    MOSFET 功率半导体新一轮大涨价


    据媒体报道,全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET的涨幅将有12%,预计本月中旬执行。还有多家功率半导体厂商也在近期发布了涨价通知。英飞凌之外,ST、安森美、安世半导体等全球领先的功率半导体厂商也于近期纷纷发布涨价通知,ST宣布全系列产品将于6月1日开始涨价;安森美也宣布部分产品价格上调,生效日期定于今年7月10日;安世半导体宣布于6月7日提高公司产品价格。国外厂商产生的产能缺口,客观上促进了功率半导体的国产替代进程。士兰微、斯达半导、新洁能、苏州东微、华微电子等国产品牌的芯片产品对于进口产品产生了较大的挑战,但是产能有限,交期也在拉长,通常在3个月以上。

     

    中微半导体首台8英寸CCP刻蚀设备顺利付运


    近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微半导体”)首台8英寸甚高频去耦合反应离子(CCP)刻蚀设备Primo AD-RIE 200顺利付运客户生产线。据悉,Primo AD-RIE 200刻蚀设备是中微半导体自主研发的新一代8英寸甚高频去耦合反应离子(CCP)刻蚀设备,能够满足不同客户8英寸晶圆的加工需求,同时可灵活配置多达三个双反应台反应腔(即六个反应台)。此外,Primo AD-RIE 200还提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案,以满足客户生产线未来可能扩产的需求。

     

    英特尔12英寸晶圆、3D器件面世


    最近,英特尔在官网表示,他们将展示首款氮化镓 (GaN) 稳压器,其优值是硅器件的10倍,峰值效率超过94%。这款稳压器最独特之处在于,采用了5项技术,将GaN功率和GaN射频晶体管,与硅PMOS的整合成一个片上系统,既可以实现高频操作,又可以实现高功率密度。而且该器件是基于12英寸硅晶圆,这在业界很少见,成本也非常有优势。

     

    斯达加码SiC:再投12亿,6万片/年


    6月17日,斯达发布了非公开发行A股股票预案,计划为4个项目募资35亿元,其中,与碳化硅相关的项目有2个,包括“SiC芯片研发及产业化”和“功率半导体模块生产线自动化改造项目”,合计金额为12亿元。

     

    今年3月2日,斯达刚通过非公开发行股票,募集35亿元,其中20亿元用于“高压特色工艺功率芯片和SiC研发及产业化项目”,预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。2020年12月18日,斯达还曾拟投资2.2947亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目,已建设车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。根据公告,斯达这次募资主要有两个目的,一是研发车规级SiC芯片,实现进口替代,二是通过自动化扩大SiC模块产能。

     

    三菱考虑找台积电代工功率半导体


    台积电近来屡屡被日媒报导称计画在日本熊本县兴建半导体工厂,对此日本三菱电机(Mitsubishi Electric)表示,考虑在功率半导体的代工上找台积电合作。日本媒体Sankei Biz 17日报导,三菱电机考虑找台积电合作、代工生产功率半导体。

     

    台积电盛传计划在日本熊本县兴建半导体工厂,对此三菱电机社长衫山武史接受「FujiSankei Business i」采访表示,“和该公司(三菱电机)的工厂、研发据点距离很近,在代工上进行合作是十分有可能的”。报道指出,要提高产能就必须进行巨额投资,因此在前段制程中,三菱电机已将表面加工部分委托给台湾晶圆代工厂进行,因此若台积电真在熊本县兴建工厂的话,三菱电机基于分散风险考量、考虑将前段制程的表面加工生产委托给台积电。

     

    押注美国半导体制造业增长!日立在美建造大型半导体研究工厂


    美国参议院两党近期投票通过一项立法,计划在未来五年里拨款520亿美元用于支持国内半导体芯片制造。英特尔和台积电都已承诺斥资百亿美元筹建晶圆厂,日本电子公司日立(Hitachi)也已计划在美国俄勒冈州希尔斯伯勒建造一个大型半导体研究工厂。
     

    据外媒Oregon Live报道,日立表示,该公司现有的希尔斯伯勒工厂一直在与其美国客户就芯片制造技术进行合作。新工厂将“巩固并拓展其技术开发能力”,以期在美国进一步提升半导体技术。报道指出,尽管新工厂不从事芯片制造,但日立似乎已经押注未来几年内美国半导体制造的增长。俄勒冈州的经济发展机构 Business Oregon 表示,日立不会获得该州政府的激励措施。新工厂能够的节省的费将取决于它在建筑和内部设备上的花费。
     

    无锡SK海力士集成电路产业园计划8月开工建设


    无锡日报报道,位于无锡高新区的SK海力士集成电路产业园计划今年8月开工建设。据悉,该产业园将以SK海力士为龙头,挖掘园区对晶圆制造供应链企业的吸引力,集聚国内外装备、关键零部件、研发培训中心等,加快形成集成电路产业链企业群,目前已接洽产业和科技项目37个,其中2个即将落地。2020年1月16日,SK海力士与无锡高新区签署投资合作协议共建集成电路产业园。项目总投资20亿元,重点围绕SK海力士上下游产业链,着力打造以SK海力士为龙头、各类优质配套企业和研发培训中心聚集的半导体产业总部经济集群。

     

    比亚迪半导体确认分拆至创业板上市


    日前,比亚迪发布公告称,在股东大会中,股东表决通过分拆所属子公司比亚迪半导体股份有限公司至创业板上市。据此前公告显示,比亚迪股份拟将控股子公司比亚迪半导体分拆至深交所创业板上市。本次分拆完成后,比亚迪股份股权结构不会因本次分拆而发生变化,且仍将维持对比亚迪半导体的控制权(持股72.3%)。这意味着比亚迪半导体独立上市的工作正式拉开序幕。比亚迪公司希望通过本次分拆,进一步提升比亚迪半导体的投融资能力以及市场竞争力将进一步增强,有利于上市公司突出主业、增强独立性,有助于提升比亚迪整体盈利水平。比亚迪半导体主营功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半导体的研发、生产及销售。

     

    68亿元投建12英寸CIS项目,格科微科创板IPO在即


    近日,证监会按法定程序同意格科微有限公司(以下简称“格科微”)科创板首次公开发行股票注册。格科微及其承销商将分别与上海证券交易所协商确定发行日程,并陆续刊登招股文件。


    招股书注册稿显示,格科微本次发行的募投项目投资总额合计约74.29亿元,其中拟使用募集资金69.6亿元,主要用于12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目和CMOS图像传感器研发项目。

     

    其中,12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目投资总额68.45亿元,建设期2年,拟采用募集资金投资63.76亿元,将在上海临港新片区新建12英寸BSI晶圆后道产线。产线主要用于生产制造中高阶BSI图像传感器所需的12英寸BSI晶圆。项目建成后格科微将拥有月产20,000片BSI晶圆的产能。CMOS图像传感器研发项目总投资额为5.84亿元,建设期为3年,建设投入包括研发场地的租赁、装修,购置研发所需设备,以及研发过程中所需的模具试制费、流片费、测试费、软件使用费和研发人员支出等。

     

    格科微表示,公司本次募集资金运用均围绕主营业务进行。其中,12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目在全球BSI晶圆供给趋紧的背景下,通过“自建产线、分段加工”的方式保障12英寸BSI晶圆的供应,实现对CIS特殊工艺关键生产步骤的自主可控,巩固并提升公司的市场地位和综合竞争力。

     

    CMOS图像传感器研发项目结合公司的产品规划及整体战略目标,一方面对现有产品进行成本优化和性能提升,进一步扩大公司在中低阶CIS产品中的竞争优势和市场份额;另一方面积极开发高像素产品,丰富产品梯次,为公司的可持续发展提供有力的技术支撑。